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2025北京国际半导体技术及应用创新展览会(官方网站)
发表时间: 2025-05-22 文章来源:张涵 浏览:0
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2025年11月23日至25日,北京国家会议中心将迎来全球半导体行业的焦点盛会——中国国际半导体博览会(ICCHINA)。作为中国半导体行业协会主办的权威展会,本届展览会以“集合全行业资源·成就大产业对接”为主题,全面展示半导体设备、材料及第三代半导体的前沿技术与产业生态。

IC CHINA 2025 以“集合全行业资源 · 成就大产业对接”为发展主题,聚焦半导体产业链、供应链及超大规模应用市场,全景展现半导体产业的发展趋势和技术创新,促进行业交流合作。汇聚全球行业资源,提升企业在新一轮半导体产业变革中的核心竞争力,助力从业者通过技术创新及联结产业链供应链面布局,赢得海内外市场发展机遇。

本届展会以“引领 · 赋能 · 链接 · 互通”的理念精心打造,全方位、多场景涵盖半导体产业链供应链的创新技术及前沿解决方案,凝聚业内人士加强对研 发制造和超大规模应用市场变化的重点关注,共同探索前沿的新技术、新模式和新业态。

展览规模 40000+ 平方米,预计参展企业达 800+ 余家,预计嘉宾、专业采购商和观众可达到50,000+ 人次。

技术趋势:从纳米到原子级的制造革命

光刻技术突破:阿斯麦(ASML)将展示High-NA EUV光刻机量产进展,推动2nm以下制程规模化生产;上海微电子则有望发布SSX800系列光刻机,加速成熟制程国产化。
原子层沉积(ALD)升级:应用材料、东京电子等巨头将推出多材料堆叠ALD技术,助力3D NAND迈向500层时代。
绿色制造:全球首台零碳足迹刻蚀机亮相,结合AI动态能耗调节技术,响应全球低碳转型需求。

第三代半导体:碳化硅与氮化镓的规模化应用

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料成为展区亮点。中芯国际将首发国产8英寸SiC生产线技术,三安光电展示全球首款1200V GaN-on-Si汽车芯片,华为则推出支持6G太赫兹频段的“天罡2.0”射频芯片。展区还将呈现8英寸SiC晶圆量产技术与20kV SiC MOSFET,标志着行业从实验室迈向规模化应用的关键拐点。

供应链重构与本土化浪潮

地缘政治背景下,供应链本土化成为焦点。北方华创、中微半导体等中国企业将展示全链条国产设备,覆盖刻蚀、薄膜沉积等关键环节,国产化率目标提升至50%。欧洲企业如德国蔡司则押注光子芯片检测设备,争夺新兴市场话语权。

同期活动与观展指南

展会同期将举办多场高峰论坛,包括“第三代半导体与碳中和”“GaN射频前沿”等主题,汇聚IEEE专家与行业领袖。观众可优先参与东京电子与ASML联合举办的“开放创新实验室”,零距离体验下一代原型机操作。此外,VR模拟SiC晶圆制造、GaN快充拆解等互动环节将提供沉浸式技术体验。

2025北京半导体展览会不仅是技术展示的舞台,更是全球产业链重构的起点。从设备革新到材料突破,从本土化布局到绿色转型,这场盛会将为从业者、投资者与科技爱好者揭开半导体产业未来十年的发展蓝图。

展位申请:企业可预订展位展示技术(需提前联系主办方预留黄金展位)。

参展报名:张主任185 3830 4525同微信


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